收藏本站
Si4814BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-1 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
Notes:
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
t 2
0.01
0.02
Single Pulse
t 1
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R thJA = 90 °C/W
3. T JM - T A = P DM Z thJA(t)
4. Surface Mounted
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
1
10
100
600
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
2
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
10- 4
10- 3
10- 2
10- 1
1
10
Square Wave Pulse Duration (s)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
www.vishay.com
6
Document Number: 73278
S09-0394-Rev. C, 09-Mar-09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SI4816DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4818DY-T1-GE3 MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
SI4830ADY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4834BDY-T1-GE3 MOSFET DUAL N-CH 30V 5.7A 8-SOIC
SI4840-DEMO SI4840 DEMO AND EVAL BOARD
SI4842BDY-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 28A 8-SOIC
SI4844-A10-GU IC AM/FM RX FOR DIGITAL RADIOS
SI4848DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 150V 8-SOIC
相关代理商/技术参数
SI4814DY 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4814DY-E3 功能描述:MOSFET 30V 7/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4814DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 30 Volt 7.0/7.4A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4816BDY 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4816BDY_09 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET with Schottky Diode
SI4816BDY-T1-E3 功能描述:MOSFET +30/+30V 7.8/11.6A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4816BDY-T1-GE3 功能描述:MOSFET Dua lN-Ch w/Schottky 30V 18.5/11.5mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SI4816BDY-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:DUAL N CHANNEL MOSFET 30V SOIC
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员